| 1974年 2月 |
神奈川県川崎市多摩区宿河原にコンピュータの応用機器および、ＩＣエージング・システムの開発・設計を主要業務として日本エンジニアリング株式会社を設立 |
| 1979年 3月 |
半導体レーザーのエージング・システムを開発し、製造・販売を開始 |
| 1985年 3月 |
半導体メモリのテスト・バーンイン・システムを開発し、製造・販売を開始 |
| 1992年 3月 |
6タイプのテスト・バーンイン・システムを開発し、製造・販売を開始 |
| 1996年10月 |
神奈川県川崎市多摩区生田に本社機能を移転 |
| 1998年11月 |
ISO9001の認証をJQAにて取得 |
| 1999年 7月 |
4チャンバ・多ゾーンQA向けテスト・バーンイン・システムを開発し、製造・販売を開始 |
| 1999年12月 |
ウエハ・レベル・バーンイン・システム(P2000)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2002年 9月 |
大容量高機能の半導体メモリのテスト・バーンイン・システム(P3502)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2003年 8月 |
資本金を305百万円に減資・増資 |
| 2003年12月 |
株式交換により株式会社アドバンテストの完全子会社化(100%子会社) |
| 2004年 4月 |
ハイ・パワーSoCデバイスのバーンイン・システム(B7551/31)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2005年 3月 |
ウエハ一括コンタクト・バーンイン・システム(P2501)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2008年 1月 |
大電流・多数個実装のメモリ・バーンイン・システム(B6511)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2008年 6月 |
ISO9001の認証をTUVにて取得 |
| 2008年 6月 |
ウエハ・レベル・バーンイン・システム(B2510)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2009年12月 |
フラッシュ・メモリ対応のテスト・システム(B8501ES)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2010年11月 |
ハードウェア制御のフラッシュ測定機能を持つテスト・バーンイン・システム(P3505)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2010年11月 |
フラッシュ・メモリ対応のテスト・システム(B8502/B8502ES)を開発し、製造・販売を開始 |
| 2011年 7月 |
デバイス電源の電流容量を増加した、ハードウェア制御によるフラッシュ・メモ
リ測定対応のテスト・バーンイン・システム(P3506)を開発し、 製造・販売を開始 |
