日本エンジニアリング株式会社（本社　神奈川県川崎市　代表取締役社長　菅江　均）は、デバイス電源の電流容量を増加したハードウェア制御によるフラッシュ・メモリ測定対応のテスト・バーンイン・システム「P3506」を開発し、2011年7月より販売を開始いたしました。

■ 開発の背景
今日、デジタル情報機器や携帯情報端末などは簡単に多種多彩な大量の情報を入手することが可能です。この大量な情報を扱うため、デジタル情報機器や携帯情報端末で使用される記憶用メモリの容量は常に増え続けています。
デバイス・メーカはメモリ容量の増加に対応するため、ウェハ・プロセスの微細化によるデバイスの小型化およびデバイス・パッケージ（MCP）技術の向上によりパッケージされた積層デバイスの多層化を行っています。一方、デバイス・メーカはメモリの大容量化に伴いデバイスの消費電流が増加し、多量のデバイスを一度にテストするバーンイン・テスト工程で従来の装置では電源の容量が不足してしまう問題点が発生していました。
デバイス・メーカでは一度にテストするデバイス数を減らし、バーンイン・テストに対応していますが、テスト・コストの増加を招いています。テスト・コストの削減を図るため、電流容量不足の問題を解決するソリューションがデバイス・メーカにとって必要となってきました。


■ 新製品の特長
テスト・バーンイン・システム「P3506」は従来製品「P3505」の電流容量を1.75倍(40Aから70A)に増やす事でバーンイン・テストにおける消費電量増加の問題に対応し、バーンイン・テストのスループットの向上をはかり、低テスト・コスト化に対応しています。
本製品は、当社の従来の製品「P3502」、「P3505」と上位互換があり、DRAM測定はもちろん、従来の製品で使用しているバーンイン・プログラムやバーンイン・ボードなどの資産をそのまま使用できるメリットも併せ持っています。

■ 主な仕様
・測定対象デバイス	Flash, DRAM, SRAM, SDRAM, DDR2, DDR3など
・測定個数	max 12,288個 (256個/BIB x 48slot） Flash測定時
・テスト周波数	max 20MHz
・デバイス電源	PS1(0.4-6V 35A/BIB) PS2(0.4-6V 35A/BIB) Vref(0.4-13V 6A/BIB)
・ゾーン	1 zone
・スロット	48slots
・I/O	72I/O /slot
・PGステップ	65,536steps
・温度範囲	-10℃ 〜 150℃
・Flash測定機能	Bad Block Memory Bad Block Mask EC Rank Judgment Universal Buffer Memory Multi Chip Control Data Pattern Memory